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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Detalles del producto

Lugar de origen: CN

Nombre de la marca: Dayoo

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: Personalizado

Precio: CNY

Detalles de empaquetado: Paquete

Tiempo de entrega: 60 días laborables

Capacidad de la fuente: Fábrica

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Detalles del producto

Descripción del producto

Resaltar:

Alta conductividad térmica:	Sí	Resistencia al choque térmico:	Bien
Temperatura máxima:	1380 ℃	Resistencia a la flexión:	Mpa 280
Pureza:	98%	Fuerza compresiva:	> 2 GPa

Alta conductividad térmica:	Sí
Resistencia al choque térmico:	Bien
Temperatura máxima:	1380 ℃
Resistencia a la flexión:	Mpa 280
Pureza:	98%
Fuerza compresiva:	> 2 GPa

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

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