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Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
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Cerámicas de carburo de silicio que ofrecen resistencia al choque térmico y estabilidad a altas temperaturas para hornos de crecimiento de cristales de semiconductores

Detalles del producto

Lugar de origen: CN

Nombre de la marca: Dayoo

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: Personalizado

Precio: CNY

Detalles de empaquetado: Paquete

Tiempo de entrega: 60 días de trabajo

Capacidad de la fuente: Fábrica

Obtenga el mejor precio
Resaltar:

resistencia al choque térmico de las cerámicas de carburo de silicio

,

Cerámica de carburo de silicio de alta estabilidad a temperatura

,

Cerámica para hornos de crecimiento de cristales de semiconductores

Módulo de elasticidad:
300-330 Gpa
Servicio de procesamiento:
Procesamiento personalizado
Contenido:
99% SIC
Material:
Carburo de silicio (SiC)
Densidad:
3,1 - 3,2 g/cm³
Inertitud química:
Alto
Resistencia a la abrasión:
Excelente
Formulario de producto:
Rollo de disco
Resistencia a la flexión:
300 - 550 MPa
Métodos de fabricación:
Sinterización, unión por reacción, prensado en caliente.
Ventaja:
Resistente a las altas temperaturas.
resistencia a la flexión:
Mpa 450
El micrón:
150
Control de calidad:
Inspección 100%
Característica:
Resistencia a altas temperaturas
Módulo de elasticidad:
300-330 Gpa
Servicio de procesamiento:
Procesamiento personalizado
Contenido:
99% SIC
Material:
Carburo de silicio (SiC)
Densidad:
3,1 - 3,2 g/cm³
Inertitud química:
Alto
Resistencia a la abrasión:
Excelente
Formulario de producto:
Rollo de disco
Resistencia a la flexión:
300 - 550 MPa
Métodos de fabricación:
Sinterización, unión por reacción, prensado en caliente.
Ventaja:
Resistente a las altas temperaturas.
resistencia a la flexión:
Mpa 450
El micrón:
150
Control de calidad:
Inspección 100%
Característica:
Resistencia a altas temperaturas
Cerámicas de carburo de silicio que ofrecen resistencia al choque térmico y estabilidad a altas temperaturas para hornos de crecimiento de cristales de semiconductores
Cerámicas de carburo de silicio para hornos de crecimiento de cristales semiconductores
Resumen del producto

Silicon Carbide (SiC) Precision Ceramics are high-performance industrial ceramic materials manufactured using high-purity SiC powder (purity ≥ 98%) through advanced forming and high-temperature sintering processesEstos materiales proporcionan una excepcional resistencia a los golpes térmicos, estabilidad a altas temperaturas y una fuerte resistencia a la corrosión.convirtiéndolos en componentes esenciales para equipos térmicos industriales de alta gama que funcionan en condiciones extremas de 1600-1900°C.

Aplicaciones básicas
  • Los materiales utilizados para la fabricación de los productos de la partida 9A001.a. incluyen:Apto para hornos de sinterización de SiC, hornos de sinterización al vacío/atmósfera, hornos de fusión de vidrio e incineradores de residuos peligrosos,Protección del revestimiento interior a altas temperaturas y resistente a la corrosión
  • Los tubos de protección del termoparejo:Se utiliza en hornos de crecimiento de cristales de semiconductores, hornos de fusión de metales y hornos de sinterización de carburo cementado,garantizar el correcto funcionamiento de los elementos de medición de la temperatura en atmósferas reductoras/inertes
Ventajas del producto
  • Resistencia a altas temperaturas:Temperatura de descomposición > 2500°C bajo presión atmosférica; la resistencia a la flexión a 1400°C es superior al 70% de la resistencia a temperatura ambiente
  • Resistencia al choque térmico:Coeficiente de expansión térmica de 4,3-4,5 × 10−6/K, capaz de soportar fluctuaciones bruscas de temperatura > 500 °C
  • Resistencia a la corrosión y al desgaste:Resistente a los ácidos fuertes (excepto el ácido fluorhídrico), a los metales fundidos y a la erosión de las escamas; su dureza oscila entre 2400 y 2600 kg/mm2
  • Precisión y estabilidad:Alta precisión de formación; los productos sinterizados sin presión alcanzan una densidad ≥98%; excelente conductividad térmica (104-200 W/m*K)
Especificaciones técnicas
Punto de trabajo Indicador
Contenido de SiC ≥98%
Densidad 3.02-3.10 g/cm3
Temperatura máxima de funcionamiento 1900 °C
Coeficiente de expansión térmica (25°C) 4.3×10−6/K
Resistencia a la flexión (temperatura ambiente) ≥ 395 MPa
Dureza (HV) 2400 a 2600 kg/mm2
Porosidad ≤ 0,1% vol (sinterizado por reacción)
Proceso de fabricación

Raw Material Pretreatment (Purification → Ball Milling) → Forming (Isostatic Pressing / Slip Casting / Extrusion) → High-Temperature Sintering (1400-2200°C) → Precision Machining (Grinding → Polishing) → Performance Testing (Strength / Corrosion Resistance Testing) → Finished Product Packaging

Instrucciones de uso
  • Limpiar las superficies de contacto antes de su instalación para evitar impurezas
  • Evite el enfriamiento o el calentamiento repentinos; las velocidades de calentamiento/enfriamiento deben ser ≤ 5°C/min
  • Precalentar hasta 80°C y mantener durante 2 horas antes de su uso en ambientes de baja temperatura (< 15°C)
  • Mantenerse alejado de los medios altamente corrosivos como el ácido fluorhídrico.
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