Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Esta serie de componentes cerámicos de alúmina específicos para semiconductores se fabrican utilizando material de Al₂O₃ de ultra alta pureza al 99,6% mediante procesos de colado de cinta de precisión y sinterización a alta temperatura. Los productos exhiben un excelente aislamiento, resistencia a la corrosión y estabilidad dimensional, cumpliendo con los requisitos de limpieza de la Norma SEMI F47.

Aplicaciones principales en semiconductores

• Fabricación de obleas: Piezas cerámicas para máquinas de grabado, barcos de difusión

• Empaquetado y pruebas: Sustratos de tarjetas de sonda, zócalos de prueba

• Componentes de equipos: Efectores finales de robots

• Sistemas de vacío: Bases de mandriles electrostáticos

• Inspección óptica: Guías cerámicas para máquinas de litografía

Ventajas del producto

✓ Ultra limpio: Contenido de iones metálicos <0.1ppm
✓ Dimensiones de precisión: Tolerancia ±0.05mm/100mm
✓ Resistencia al plasma: Tasa de grabado <0.1μm/h
✓ Baja emisión de gases: TML<0.1% CVCM<0.01%
✓ Alta fiabilidad: Pasa 1000 ciclos térmicos

Especificaciones técnicas

Proceso de fabricación de semiconductores

1. Preparación del material:

   • Polvo de Al₂O₃ de grado nano (D50≤0.5μm)

   • Molienda de bolas de alta pureza (ayudas de sinterización Y₂O₃-MgO)

2. Proceso de formación:

   • Colado de cinta (espesor 0.1-5mm)

   • Prensado isostático (200MPa)

3. Control de sinterización:

   • Sinterización en atmósfera de múltiples etapas (1600°C/H₂)

   • Post-tratamiento HIP (1500°C/150MPa)

4. Mecanizado de precisión:

   • Procesamiento láser (±5μm)

   • Taladrado ultrasónico (relación de aspecto 10:1)

5. Limpieza e inspección:

   • Limpieza megasónica (sala limpia Clase 1)

   • Prueba de partículas SEMI F47

Guías de uso

⚠️ Almacenamiento: Embalaje limpio Clase 100
⚠️ Entorno de instalación: 23±1°C HR45±5%
⚠️ Limpieza: Solo disolventes de grado semiconductor
⚠️ Manipulación: Evitar el contacto directo con las superficies funcionales

Servicios para semiconductores

• Verificación de limpieza: Informes de pruebas VDA19

• Análisis de fallos: Microanálisis SEM/EDS

• Desarrollo personalizado: Codiseño DFM

Preguntas frecuentes

P: ¿Cómo asegurar la limpieza de la superficie de contacto de la oblea?
R: Triple protección:
① Activación de la superficie del plasma
② Embalaje al vacío + almacenamiento N₂
③ Limpieza con aire ionizado antes de la instalación

P: ¿Rendimiento en plasma a base de flúor?
R: Versión con tratamiento especial:
• Tasa de grabado <0.05μm/h
• Capa de pasivación AlF₃
• 3 veces mayor vida útil

P: ¿Tamaño máximo procesable?
R: Estándar 200×200mm, proceso especial hasta 400×400mm.