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Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
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Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Detalles del producto

Lugar de origen: Hecho en China, Zhejiang, Jinhua

Nombre de la marca: Dayoo

Certificación: GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015

Número de modelo: depende del producto real

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: según lo negociado y acordado

Precio: As Negotiated and Agreed

Detalles de empaquetado: Cartón, caja de madera

Tiempo de entrega: depende del producto real

Condiciones de pago: ENGAÑAR

Capacidad de la fuente: fábrica

Obtenga el mejor precio
Resaltar:

Cerámica de aluminio de alta temperatura

,

Cerámica de aluminio personalizada

,

Cerámica de aluminio de tipo cuadrado

Tamaño:
Personalizado
Acabado superficial:
Pulido
Forma:
Personalizable
Propiedades:
aislamiento eléctrico
Tipo:
bola de cerámica
Solicitud:
Cerámica Industrial
Coeficiente de expansión térmica:
8 x 10^-6 /K
Resistencia a la tracción:
250 MPa
Temperatura máxima de funcionamiento:
1800°C
Contenido de alúmina:
92% y 95%
Resistencia a la flexión:
350 MPA
Temperatura máxima de uso:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Material:
≥95% de polvo de alúmina
Tamaño:
Personalizado
Acabado superficial:
Pulido
Forma:
Personalizable
Propiedades:
aislamiento eléctrico
Tipo:
bola de cerámica
Solicitud:
Cerámica Industrial
Coeficiente de expansión térmica:
8 x 10^-6 /K
Resistencia a la tracción:
250 MPa
Temperatura máxima de funcionamiento:
1800°C
Contenido de alúmina:
92% y 95%
Resistencia a la flexión:
350 MPA
Temperatura máxima de uso:
1.400 ° C
Water Absorption:
0
Material:
≥95% de polvo de alúmina
Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Alúmina Cerámica de Alta Pureza con Resistividad Volumétrica de 10^4 Ohm*cm para Aplicaciones de Semiconductores

 

Esta serie de componentes cerámicos de alúmina específicos para semiconductores se fabrican utilizando material de alúmina (Al₂O₃) de ultra alta pureza del 99,6% a través de procesos de colada en cinta de precisión y sinterización a alta temperatura. Los productos presentan una excelente aislamiento, resistencia a la corrosión y estabilidad dimensional, cumpliendo los requisitos de limpieza de la Norma SEMI F47.

Aplicaciones Primarias en Semiconductores

  • Fabricación de obleas: Piezas cerámicas de máquinas de grabado, barcos de difusión

  • Empaquetado y pruebas: Sustratos de tarjetas de sonda, zócalos de prueba

  • Componentes de equipos: Efectores finales de robot

  • Sistemas de vacío: Bases de chuck electrostático

  • Inspección óptica: Guías cerámicas de máquinas de litografía

Ventajas del Producto

✓ Ultra limpio: Contenido de iones metálicos <0.1ppm ✓ Dimensiones de precisión: Tolerancia ±0.05mm/100mm ✓ Resistencia al plasma: Tasa de grabado <0.1µm/h
✓ Baja desgasificación: TML <0.1% CVCM <0.01% ✓ Alta fiabilidad: Soporta 1000 ciclos térmicos
Especificaciones TécnicasParámetroEspecificaciónEstándar de Prueba

Pureza del Material

Al₂O₃≥95% GDMS Resistividad Volumétrica
>10¹⁴Ω·cm ASTM D257 Constante Dieléctrica
9.8@1MHz IEC 60250 Resistencia a la Flexión
≥400MPa ISO 14704 CTE
7.2×10⁻⁶/°C DIN 51045 Rugosidad Superficial
Ra≤0.1µm ISO 4287 Desgasificación
TML <0.1% ASTM E595 Proceso de Fabricación de Semiconductores
Preparación del material: Polvo de alúmina de grado nano (D50≤0.5µm)Molienda de bolas de alta pureza (ayudas de sinterización Y₂O₃-MgO) Proceso de conformado:

Colada en cinta (espesor 0.1-5mm)

  1. Prensado isostático (200MPa)

    • Control de sinterización:

    • Sinterización en atmósfera multietapa (1600°C/H₂)

  2. Post-tratamiento HIP (1500°C/150MPa)

    • Mecanizado de precisión:

    • Procesamiento láser (±5µm)

  3. Taladrado ultrasónico (relación de aspecto 10:1)

    • Limpieza e inspección:

    • Limpieza megasónica (sala limpia Clase 1)

  4. Pruebas de partículas SEMI F47

    • Guías de Uso

    • ⚠️ Almacenamiento: Embalaje limpio Clase 100

  5. ⚠️ Entorno de instalación: 23±1°C RH45±5%

    • ⚠️ Limpieza: Solo disolventes de grado semiconductor

    • ⚠️ Manipulación: Evitar el contacto directo con superficies funcionales

Servicios para Semiconductores

Verificación de limpieza: Informes de prueba VDA19
Análisis de fallos: Microanálisis SEM/EDS
Desarrollo personalizado: Co-diseño DFM
Preguntas Frecuentes

P: ¿Cómo garantizar la limpieza de la superficie de contacto de la oblea?

  • R: Triple protección:

  • ① Activación de superficie por plasma

  • ② Embalaje al vacío + almacenamiento en N₂

③ Limpieza previa a la instalación con aire ionizado

P: ¿Rendimiento en plasma a base de flúor?
R: Versión especialmente tratada:
• Tasa de grabado <0.05µm/h
• Capa de pasivación de AlF₃
• Vida útil 3 veces mayor

P: ¿Tamaño máximo procesable?
R: Estándar 200×200mm, proceso especial hasta 400×400mm.



 

Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores